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美光3D NAND采用替代柵極架構(gòu) 將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)

2019-10-09 16:14:12來(lái)源:中關(guān)村在線  

存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,美系存儲(chǔ)巨頭,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)。

根據(jù)知情人士透露,美光新型替代柵極架構(gòu)將首次應(yīng)用在128層閃存之中,繼續(xù)沿用CMOS陣列,新一代的替代柵極結(jié)構(gòu)有望讓Die size和成本進(jìn)一步減小。

美光集團(tuán)CEO對(duì)此表示,目前已經(jīng)成功完成替代柵極架構(gòu)的3D NAND芯片的首次流片,這一里程碑的進(jìn)展降低了產(chǎn)品技術(shù)向下一代技術(shù)過(guò)渡的風(fēng)險(xiǎn),并且強(qiáng)調(diào)首代替代柵極架構(gòu)將被應(yīng)用在128層NAND產(chǎn)品上,先期會(huì)被應(yīng)用到特定的產(chǎn)品線。

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